Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

P6MNC9P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P6MNC9P0

S8MBC012

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12 / 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18 / 42
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -9,8
  • Hersteller: Eris
S8MBC012

S8MBC020

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8 / -5,5
  • Hersteller: Eris
S8MBC020

S8MBC020A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 7,5 / -6
  • Hersteller: Eris
S8MBC020A

S8MBC021

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21 / 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 31 / 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 7 / -6
  • Hersteller: Eris
S8MBC021

S8MBD032

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32 / 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,7 / -7,2
  • Hersteller: Eris
S8MBD032

S8MBG030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 36 / 68
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,9 / -4,7
  • Hersteller: Eris
S8MBG030

S8MBG036

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 36 / 70
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38 / 85
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12,5 / -9,7
  • Hersteller: Eris
S8MBG036

S8MBG052

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52 / 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 75 / 105
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,1 / -3,6
  • Hersteller: Eris
S8MBG052

S8MBG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54 / 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63 / 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5 / -3,5
  • Hersteller: Eris
S8MBG054