Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

P5MNM8P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 91
  • Hersteller: Eris
P5MNM8P0

P5MNM9P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 62
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P2

P5MNM9P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 58
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P5

P5MNM9P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 68
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P9

P5MNN7P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 120
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P5MNN7P5

P5MNP012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNP012

P5MNP012A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNP012A

P5MNP051

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 51
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 25
  • Hersteller: Eris
P5MNP051

P5MPB2P3

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.6
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -90
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P3

P5MPB2P7

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -100
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P7