Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

P5MNM3P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5.1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 140
  • Hersteller: Eris
P5MNM3P6

P5MNM4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 129
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P2

P5MNM4P4

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 142
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P4

P5MNM4P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P5

P5MNM5P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7.8
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
P5MNM5P5

P5MNM5P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 103
  • Hersteller: Eris
P5MNM5P5A

P5MNM6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 110
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0

P5MNM6P0A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 95
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0A

P5MNM7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 65
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P2

P5MNM7P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 10.4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 103
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P6