Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

1N5817

  • Package: DO-41
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 25 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
1N5817

1N5817W

  • Package: SOD-123
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 9 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,45 V
  • Hersteller: Eris
1N5817W

1N5818

  • Package: DO-41
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 25 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
1N5818

1N5818W

  • Package: SOD-123
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 9 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
1N5818W

1N5819

  • Package: DO-41
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 25 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
1N5819

1N5819W

  • Package: SOD-123
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 9 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
1N5819W

1S100

  • Package: R-1
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 20 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
1S100

1S20

  • Package: R-1
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 20 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,52 V
  • Hersteller: Eris
1S20

1S30

  • Package: R-1
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 20 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
1S30

1S40

  • Package: R-1
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 1 A
  • IFSM max. [A]: 20 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
1S40