Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

D1MPD5P8

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8.3
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -90
  • Hersteller: Eris
D1MPD5P8

D1MPG048

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -16
  • Hersteller: Eris
D1MPG048

D1MPM095

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 95
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -30
  • Hersteller: Eris
D1MPM095

D1MPM400

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 400
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 420
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
D1MPM400

D2MND4P0

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 85
  • Hersteller: Eris
D2MND4P0

D2MNG022

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
D2MNG022

D2MNK3P2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4.6
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 180
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P2

D2MNK3P4

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 165
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P4

D2MNM3P4

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 175
  • Hersteller: Eris
D2MNM3P4

D2MNM3P5

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 190
  • Hersteller: Eris
D2MNM3P5