Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRP10300ST

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 5 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,95 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10300ST

EBRP10E200CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,82 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10E200CT

EBRP10E200FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,82 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10E200FCT

EBRP10E300CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,86 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10E300CT

EBRP10E300FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,86 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10E300FCT

EBRP10L150T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 180 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,83 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L150T

EBRP10L200B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,88 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L200B

EBRP10L200C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,9 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L200C

EBRP10L200CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,87 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L200CD2

EBRP10L200CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,87 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L200CT