Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

S8MND3P2

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5.2
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
S8MND3P2

S8MND5P8

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7.8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
S8MND5P8

S8MNG030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
S8MNG030

S8MNG040

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 47
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4.5
  • Hersteller: Eris
S8MNG040

S8MNG050

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5.5
  • Hersteller: Eris
S8MNG050

S8MNG050A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5.2
  • Hersteller: Eris
S8MNG050A

S8MNG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4.5
  • Hersteller: Eris
S8MNG054

S8MNM020

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 18
  • Hersteller: Eris
S8MNM020

S8MNM024

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 24
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
S8MNM024

S8MNM025

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
S8MNM025