Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

TNMPG114

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 114
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 130
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.4
  • Hersteller: Eris
TNMPG114

TNMPG200

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 250
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.8
  • Hersteller: Eris
TNMPG200

TNMPM350

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 350
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 400
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3
  • Hersteller: Eris
TNMPM350

TNMPM650

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 650
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 700
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -0.9
  • Hersteller: Eris
TNMPM650

TPMNB080

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 80
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 2
  • Hersteller: Eris
TPMNB080

TPMNB250

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 250
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TPMNB250

TPMNB300

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TPMNB300

TPMNC035

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 1.8
  • Hersteller: Eris
TPMNC035

TPMNF16H

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.32
  • Hersteller: Eris
TPMNF16H

TPMNG30H

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TPMNG30H