Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

TNMNF16H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.36
  • Hersteller: Eris
TNMNF16H

TNMNF30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 50
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNF30H

TNMNG100

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 2.3
  • Hersteller: Eris
TNMNG100

TNMNG100A

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 3
  • Hersteller: Eris
TNMNG100A

TNMNG30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNG30H

TNMNM125

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 125
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 135
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMNM125

TNMNM310

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 310
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 320
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 1.2
  • Hersteller: Eris
TNMNM310

TNMNM55H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNM55H

TNMNM60H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNM60H

TNMPB021

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
TNMPB021