Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

TLMPC055

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 55
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4.1
  • Hersteller: Eris
TLMPC055

TLMPD068

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 68
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 100
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.9
  • Hersteller: Eris
TLMPD068

TLMPG40HA

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -0.5
  • Hersteller: Eris
TLMPG40HA

TMMBB040

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40 /100
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 3,8 / -2,5
  • Hersteller: Eris
TMMBB040

TMMBC030

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 65
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 37 / 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4 / -3
  • Hersteller: Eris
TMMBC030

TMMNC024

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 24
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 34
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.5
  • Hersteller: Eris
TMMNC024

TMMNC028

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 32
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
TMMNC028

TMMPB085

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -3
  • Hersteller: Eris
TMMPB085

TNMNB025

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 25
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 5.8
  • Hersteller: Eris
TNMNB025

TNMNB027

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMNB027