Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

T4SNAL100

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
T4SNAL100

TKMNG060

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 60
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 70
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.8
  • Hersteller: Eris
TKMNG060

TKMNG075

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 75
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TKMNG075

TKMNM047

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
TKMNM047

TKMNM095

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 95
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.5
  • Hersteller: Eris
TKMNM095

TKMPG105

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3.2
  • Hersteller: Eris
TKMPG105

TKMPM300

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 340
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8.2
  • Hersteller: Eris
TKMPM300

TLMNB019

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 19
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 6.7
  • Hersteller: Eris
TLMNB019

TLMNB060

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 3.6
  • Hersteller: Eris
TLMNB060

TLMNB065

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 4
  • Hersteller: Eris
TLMNB065