Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

TPMNG30HA

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3600
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TPMNG30HA

TQMNB300

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TQMNB300

TQMNC500

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 500
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0.6
  • Hersteller: Eris
TQMNC500

TQMNF16H

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TQMNF16H

TQMNG30H

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TQMNG30H

TQMPB600

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 600
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -0.4
  • Hersteller: Eris
TQMPB600

TRMNB300

  • Package: SOT-723
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TRMNB300

TRMNF16H

  • Package: SOT-723
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TRMNF16H

TTMNB300

  • Package: SOT-563
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TTMNB300

TUMBB350

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 350 / 600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,72 / -0,53
  • Hersteller: Eris
TUMBB350