Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT3H45AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3H45AF

EBRT3H45P

  • Package: SOD-123F
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3H45P

EBRT3H45S

  • Package: DO-41
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3H45S

EBRT3L200D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,84 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3L200D

EBRT3M40P

  • Package: SOD-123F
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3M40P

EBRT3X100B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,52 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3X100B

EBRT3X45A

  • Package: DO-214AC (SMA)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,38 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3X45A

EBRT3X45AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,38 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3X45AF

EBRT3X45AFC

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,38 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3X45AFC

EBRT3X45B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,4 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3X45B