Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT3E100A

  • Package: DO-214AC (SMA)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E100A

EBRT3E100AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E100AF

EBRT3E100B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E100B

EBRT3E100D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E100D

EBRT3E100M

  • Package: DO-15
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E100M

EBRT3E150AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E150AF

EBRT3E150D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,79 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E150D

EBRT3E200D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,77 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E200D

EBRT3E45A

  • Package: DO-214AC (SMA)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E45A

EBRT3E45AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E45AF