Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT10E150FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,75 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E150FCT

EBRT10E200B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,97 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E200B

EBRT10E200CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,82 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E200CT

EBRT10E200FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E200FCT

EBRT10E45CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,48 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E45CT

EBRT10E45FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,48 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E45FCT

EBRT10E60CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E60CD2

EBRT10E60CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E60CT

EBRT10E60FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E60FCT

EBRT10L100B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,71 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10L100B