Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT10E100C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100C

EBRT10E100CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100CT

EBRT10E100D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,67 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100D

EBRT10E100FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100FCT

EBRT10E100T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,67 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100T

EBRT10E120B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,79 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E120B

EBRT10E120C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,79 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E120C

EBRT10E150B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,83 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E150B

EBRT10E150C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,83 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E150C

EBRT10E150CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,75 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E150CT