Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

P5MND2P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
P5MND2P5

P5MND2P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MND2P5A

P5MND2P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MND2P8

P5MND3P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5.3
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 114
  • Hersteller: Eris
P5MND3P2

P5MND3P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 92
  • Hersteller: Eris
P5MND3P8

P5MND4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
P5MND4P0

P5MND5P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P5MND5P5

P5MND6P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 50
  • Hersteller: Eris
P5MND6P5

P5MND8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
P5MND8P5

P5MND9P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P5MND9P0