Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

I2MNAB850

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 850
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
I2MNAB850

I2MNAB900

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 900
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
I2MNAB900

LFMND0P7

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0.7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 455
  • Hersteller: Eris
LFMND0P7

LFMNK1P9

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 313
  • Hersteller: Eris
LFMNK1P9

LFMNM2P3

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 282
  • Hersteller: Eris
LFMNM2P3

LFSNAL052

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 63
  • Hersteller: Eris
LFSNAL052

MBR10100CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 130 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
MBR10100CD2

MBR10150CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 130 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
MBR10150CD2

MBR10200CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 130 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
MBR10200CD2

MBR1020CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
MBR1020CD2