Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT20L80T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 20 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,62 V
  • Hersteller: Eris
EBRT20L80T

EBRT20M60T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 20 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,56 V
  • Hersteller: Eris
EBRT20M60T

EBRT25L60T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 25 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT25L60T

EBRT2E100B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2E100B

EBRT2L40P

  • Package: SOD-123F
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 20 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2L40P

EBRT2X100M

  • Package: DO-15
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2X100M

EBRT2X150M

  • Package: DO-15
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,75 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2X150M

EBRT2X45M

  • Package: DO-15
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,42 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2X45M

EBRT2X45S

  • Package: DO-41
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,42 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2X45S

EBRT2X60M

  • Package: DO-15
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
EBRT2X60M