Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

EBRT10L80C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10L80C

EBRT10L80D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10L80D

EBRT10L80T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10L80T

EBRT10M60T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 300 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10M60T

EBRT12E120T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 12 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,76 V
  • Hersteller: Eris
EBRT12E120T

EBRT12L120T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 12 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,78 V
  • Hersteller: Eris
EBRT12L120T

EBRT15E100C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 15 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,65 V
  • Hersteller: Eris
EBRT15E100C

EBRT15E100D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 15 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,65 V
  • Hersteller: Eris
EBRT15E100D

EBRT15E100T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 15 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 300 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,66 V
  • Hersteller: Eris
EBRT15E100T

EBRT15E120C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 15 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,78 V
  • Hersteller: Eris
EBRT15E120C