Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 1451 Produkten angezeigt.

SRS40200C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,95 V
  • Hersteller: Eris
SRS40200C

SRS4040C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
SRS4040C

SRS4045C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
SRS4045C

SRS4050C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
SRS4050C

SRS4060C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 1.000 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
SRS4060C

SRS4080C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
SRS4080C

SRS4090C

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 90 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
SRS4090C

SS210T

  • Package: DO-214AC (SMA)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 2 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
SS210T

T2MNAB12H

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 7
  • Hersteller: Eris
T2MNAB12H

T2MNAB25H

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 4
  • Hersteller: Eris
T2MNAB25H