Nisshinbo

Nisshinbo Micro Devices Inc. Analoge Lösungen aus einer Hand
 
NISSHINBO wurde Anfang 2022 durch den Zusammenschluß von NJR und RICOH gegründet und bietet über 60 Jahre Erfahrung im Bereich der analogen Halbleiter.  Es fokussiert sich auf die Entwicklung und Produktion von hochqualitativen OPVerstärker, LDO’s, PowerManagement-, Audio- und RF- Bauteilen. Die Verwendung von Bipolar-, C-MOS-, und BCD- Technologie ermöglicht Nisshinbo  das Angebot einer großen Vielfalt an Bauteilen für Konsumer-, Industrie- und Automobilanwendungen.
Die Verwendung eigener Fabriken und Technologien ermöglicht Nisshinbo die Zusage langer Lieferverfügbarkeit der Bauteile und auch kurzfristiger kundenspezifischer Lösungen.
 

Produktportfolio

Operationsverstärker, Komparatoren, Schaltregler, LDO, AD- und DA Wandler, Überwachungsbausteine, RF-Schalter, LNA, Radar-Module, Photodioden, Kundenspezifische Lösungen (ASIC)

Geeignete Anwendungen

  • Gesundheitswesen
  • Drahtlose Kommunikation
  • Automotiv
  • Consumer
  • Industrie

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 800 Produkten angezeigt.

PT928-6B(7-1)

  • Mounting: Photo Transistor
  • wavelength [nm] max.: 1.100 nm
  • wavelength [nm] min.: 740 nm
  • peak Wavelength [nm]: 940 nm
  • Package (Optische Sensoren): SMD
  • dark current: 100nA
  • Hersteller: Nisshinbo
PT928-6B(7-1)

NJL6502R-1

  • Mounting: Photo Diode
  • wavelength [nm] max.: 650 nm
  • wavelength [nm] min.: 450 nm
  • peak Wavelength [nm]: 580 nm
  • Package (Optische Sensoren): SMD
  • dark current: 0.5nA
  • Hersteller: Nisshinbo
NJL6502R-1

NJL6402R-2

  • Mounting: Photo Diode
  • wavelength [nm] max.: 1.000 nm
  • wavelength [nm] min.: 350 nm
  • peak Wavelength [nm]: 800 nm
  • Package (Optische Sensoren): SMD
  • dark current: 0.1nA
  • Hersteller: Nisshinbo
NJL6402R-2

NJL6193R-3

  • Mounting: Photo Diode
  • wavelength [nm] max.: 1.000 nm
  • wavelength [nm] min.: 500 nm
  • peak Wavelength [nm]: 850 nm
  • Package (Optische Sensoren): SMD
  • dark current: 0.1nA
  • Hersteller: Nisshinbo
NJL6193R-3

NJL6401R-3

  • Mounting: Photo Diode
  • wavelength [nm] max.: 1.000 nm
  • wavelength [nm] min.: 350 nm
  • peak Wavelength [nm]: 800 nm
  • Package (Optische Sensoren): SMD
  • dark current: 0.1nA
  • Hersteller: Nisshinbo
NJL6401R-3

NJG1815AK75-A Automotive

  • Package (RF-Switch): DFN6-75
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Power Level: High Power
  • Insertion Loss [dB]: 0,45@2,4 to 2,5GHz 0,45@3,4 to 3,8GHz 0,4@4,9 to 6GHz
  • Isolation [dB]: 25@2,4 to 2,5GHz 25@3,4 to 3,8GHz 25@4,9 to 6GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1815AK75-A Automotive

NJG1801BKGC-A Automotive

  • Package (RF-Switch): ESON6-GC
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Power Level: High Power
  • Insertion Loss [dB]: 0,35@0,3 to 2,5GHz 0,45@4,9 to 5,9GHz 0,6@8,5GHz
  • Isolation [dB]: 28@0,3 to 2,5GHz 27@4,9 to 5,9GHz 18@8,5GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1801BKGC-A Automotive

NJG1801AKGC-A Automotive

  • Package (RF-Switch): ESON6-GC
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Power Level: High Power
  • Insertion Loss [dB]: 0,35@0,3 to 2,5GHz 0,45@4,9 to 5,9GHz 0,6@8,5GHz
  • Isolation [dB]: 28@0,3 to 2,5GHz 27@4,9 to 5,9GHz 18@8,5GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1801AKGC-A Automotive

NJG1812AMET-A Automotive

  • Package (RF-Switch): EQFN12-ET
  • Features: DPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 36
  • Power Level: High Power
  • Insertion Loss [dB]: 0,25@900MHz 0,35@1900MHz 0,45@2700MHz
  • Isolation [dB]: 25@900MHz 20@1900MHz 17@2700MHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1812AMET-A Automotive

NJG1187AKGC-A

  • Package (LNA): ESON6-GC
  • Operating Voltage [V]: 3,3 V ... 3,3 V
  • Operating Current [mA]: 8 mA
  • Gain typ [dB]: 34; 37; 36
  • NF typ [dB]: 0,6; 0,65; 0,65
  • P-1dB typ [dBm]: +14(out); +13(out); +13(out)
  • IIP3 typ [dBm]: +16(OIP3); +19(OIP3); +18(OIP3)
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1187AKGC-A